金剛石因其優異的物理，化學，光學和熱學性能成為***種卓越的材料，具有超高硬度，卓越的化學穩定性，低摩擦系數，高電阻率。單晶金剛石（SCD）在光學，熱學和半導體中被廣泛使用。例如，拉曼激光光學，高溫高壓金剛石砧座，高速計算芯片。這些應用中，表面粗糙度和損傷層深度極其關鍵，對單晶金剛石器件性能有重大影響。因此，開發高效高質量金剛石拋光工藝極其重要。

化學機械拋光（CMP）是在半導體晶圓上獲取無損傷，原子***光滑表面的***種高效手段。作為CMP工藝的關鍵組件之***，拋光盤的選取，對SCD表面的精密加工影響巨大。

 使用·OH（羥基自由基）配合磨粒來機械去除氧化后半導體材料是***種實現超光滑原子***表面的先進方法。UV（紫外線）催化反應在H2O2溶液中可產生·OH從而在半導體晶圓表面產生化學反應。在拋光過程中，單晶金剛石與拋光盤在給定載荷下相對運動。摩擦使得SCD表面微凸體優先被移除從而形成光滑表面。不同材料與金剛石之間的摩擦學研究對理解拋光機理至關重要。

UV催化反應的CMP能在高材料移除率同時獲得原子***別表面質量。但是在此環境中如何選擇拋光盤材料對SCD拋光尚需進***步研究。半導體晶圓常用的聚氨酯拋光墊對超硬SCD基本無效，目前金剛石拋光盤通常使用Fe基催化，陶瓷盤和玻璃盤。在該研究中，結合摩擦磨損和CMP實驗，考察了不同拋光盤材料，如Fe，SiO2和Al2O3在UV催化環境里的摩擦行為和SCD的材料移除效果。這些發現為UV催化輔助化學機械拋光單晶金剛石提供指導。